半导体 5 类超高纯钛设备 Ra<0.4μm ppb 级

半导体面板 5 类超高纯钛设备：Ra<0.4μm+ppb 级

1. 5 类半导体超高纯钛设备是什么
2. 半导体/面板 2 大工艺对比
3. 储罐 + 蒸馏塔（合并）
4. 蚀刻机腔体 + 真空镀膜腔体（合并）
5. 钛气体输送管
6. 4 类超高纯标准对比
7. 4 类牌号 + 5 大工况（合并）
8. 5 步 SOP + 5 类规格价格
9. 3 类采购暗坑
10. 3 个脱敏案例（合并）

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超高纯钛储罐/钛蒸馏塔/钛蚀刻机腔体配件/钛真空镀膜腔体/钛气体输送管 5 类半导体/面板超高纯钛设备，Ra<0.4μm 电解抛光 + 杂质 ppb 级双重要求。仟亿拓达宝鸡源头厂 200 吨 TA2 现货 7 天交付。本文 5 类设备对比 + 半导体面板工艺 + 超高纯标准 + 4 类牌号 + 5 大工况 + 5 步 SOP。

5 类半导体超高纯钛设备指半导体晶圆制造和面板显示工艺的核心钛部件：①超高纯钛储罐（高纯化学品储存）；②钛蒸馏塔（高纯溶剂蒸馏提纯）；③钛蚀刻机腔体配件（等离子蚀刻反应腔）；④钛真空镀膜腔体（PVD/CVD 镀膜反应腔）；⑤钛气体输送管（高纯工艺气体管路）。5 类占核心钛设备 70-80%。316L 有杂质析出（Fe/Cr/Ni ppb 超标）、TA2 杂质 < 1 ppb。半导体对杂质敏感（1 ppb 杂质影响晶圆良率 5-10%）。

2 大工艺：①半导体晶圆制造（8/12/18 寸）：湿法→超高纯钛储罐+钛蒸馏塔+钛气体输送管；干法→钛蚀刻机腔体配件+钛真空镀膜腔体；②面板显示（G6/G8.5/G10.5）：钛蚀刻机腔体配件+钛真空镀膜腔体+钛气体输送管为主。半导体 ppb 级、面板 ppm→ppb 过渡。5 类均需 Ra<0.4μm 电解抛光。

超高纯钛储罐用于半导体高纯化学品储存（H₂O₂、H₂SO₄、HF、IPA），按形态分 3 类：①立式（主流）；②卧式；③带搅拌（混料）。TA2 通用、规格 100L-50 m³、参考价 30-300 万/台。要求 Ra<0.4μm + 钝化 + 杂质 < 1 ppb。钛蒸馏塔用于高纯溶剂蒸馏（IPA、丙酮、NMP），按形态分 3 类：①筛板（主流）；②填料（高效）；③浮阀（灵活）。规格 φ 300-1500 mm×H 3000-15000 mm、参考价 80-500 万/台。

钛蚀刻机腔体配件用于半导体等离子蚀刻反应腔（ICP/CCP），按类型分 5 类：①钛蚀刻腔体（主体、主流）；②钛蚀刻机观察窗；③钛蚀刻机气体分布盘；④钛蚀刻机静电吸盘（ESC）；⑤钛蚀刻机衬里。TA2 通用、规格 φ 300-600 mm、参考价 5-50 万/件。钛真空镀膜腔体用于 PVD/CVD 镀膜反应腔（磁控溅射/PECVD），按类型分 4 类：①PVD（主流）；②CVD；③ALD（高端）；④钛镀膜机衬里。规格 φ 400-800 mm、参考价 10-80 万/件。

钛气体输送管用于半导体高纯工艺气体管路（SiH₄、NH₃、N₂O、Cl₂、WF₆），按形态分 3 类：①钛无缝管（EP 级电解抛光、主流）；②钛焊接管（中端）；③钛 BA 管（光亮退火、高纯级）。TA2 通用、规格 φ 6-100 mm×壁厚 0.5-3 mm、参考价 500-5000 元/m。要求 Ra<0.4μm + 钝化 + 杂质 < 1 ppb + 10⁻⁹ Pa·m³/s 氦检漏。

超高纯 4 类标准：①SEMI Grade 1（ppb 级）：杂质 < 1 ppb、Ra<0.2μm（主流）；②SEMI Grade 2（ppb 级）：杂质 < 10 ppb、Ra<0.4μm；③SEMI Grade 3（ppm 级）：杂质 < 100 ppb、Ra<0.8μm；④面板 Grade（ppm-ppb 级）：杂质 < 1000 ppb、Ra<0.8μm。半导体主流 SEMI Grade 1-2、面板主流 Grade 3-4。

牌号①TA2（≥ 99.2% 纯钛、通用 70% 半导体超高纯）：电解抛光可达 ppb 级；②TA2-EL（电解抛光级 TA2、超高纯）：Ra<0.2μm 达标；③TA10（贵 20%）：含氧化剂段（H₂O₂+H₂SO₄）；④TA9（贵 25%）：强氧化剂（臭氧/铬酸）段。工况①12 寸晶圆厂（28/14/7nm、SEMI Grade 1）：TA2-EL 通用、配 5 类设备；②面板 G10.5（OLED、Grade 3）：TA2 通用、配 3 类；③化合物半导体（SiC/GaN、SEMI Grade 1-2）：TA2-EL 通用；④MEMS 传感器（Grade 2）：TA2 通用；⑤光伏 TOPCon/HJT（Grade 3-4）：TA2 通用、配 3 类。晶圆厂 50%、面板 25%。

SOP：①锁 6 参数；②按工艺选组件：湿法→超高纯钛储罐+钛蒸馏塔+钛气体输送管、干法→钛蚀刻机腔体配件+钛真空镀膜腔体+钛气体输送管；③按纯度选牌号：Grade 1→TA2-EL、Grade 2-3→TA2、含氧化剂→TA9/TA10；④按规模选规格；⑤第三方检测（MTR+电解抛光检测+氦检漏+ICP-MS 杂质分析+SGS）。规格价格：5 m³ 超高纯钛储罐 80-200 万/台、φ 1000×8000 mm 钛蒸馏塔 200-500 万/台、φ 500 mm 钛蚀刻机腔体配件 20-50 万/件、φ 600 mm 钛真空镀膜腔体 30-80 万/件、φ 25 mm 钛气体输送管 1500-3000 元/m。

①电解抛光偷工：合同 Ra<0.4μm 实际 Ra>0.8μm（机械抛光冒充）、粗糙度仪可破；②杂质检测造假：合同 ppb 级实际 ppm 级（无报告）、第三方复测可破；③真空密封不良：氦检漏 10⁻⁶ 实际 10⁻⁸、真空氦检可破。5 类设备占半导体投资 15-25%。

案例 1（某 XX 12 寸晶圆厂 28nm，2025 Q3）：5 类全套，参考价合计 8000 万（SGS+ICP-MS），运行 12 个月 ppb 级达标。案例 2（某 XX 面板 G10.5 代线 OLED，2025 Q4）：钛蚀刻机腔体配件 80 件 + 钛真空镀膜腔体 40 件 + 钛气体输送管 3000 m，参考价合计 3000 万（CTI+ICP-MS），运行 10 个月稳定。案例 3（某 XX 化合物半导体 SiC，2026 Q1）：5 类全套，参考价合计 5000 万（谱尼+ICP-MS），运行 6 个月 Ra<0.2μm 保持。

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